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J-GLOBAL ID：200902046562314875   整理番号：86A0176225

薄い逆バイアス印加pn接合の静電場の電子ホログラフ観察

Electron holographic observations of the electrostatic field associated with thin reverse-biased p-n junctions.

著者 (4件)： FRABBONI S (Univ. Bologna, Italy) ,  MATTEUCCI G (Univ. Bologna, Italy) ,  POZZI G (Univ. Bologna, Italy) ,  VANZI M (Telettra S.p.A., Italy)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 55  号： 20  ページ： 2196-2199  発行年： 1985年11月11日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子ホログラフ法と光学干渉法を利用し,再生像として,試料の内...

シソーラス用語： PN接合 ,...
準シソーラス用語： 電子線ホログラフィー

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  粒子光学一般  (BD02010J)

タイトルに関連する用語 (7件)： バイアス ,  印加 ,  PN接合 ,  静電場 ,  電子 ,  ホログラフ ,  観察