Biを含むIII/V合金の有機金属気相エピタキシャル成長とその特質

MA K Y; FANG Z M; COHEN R M; STRINGFELLOW G B

文献

J-GLOBAL ID：200902046986732677 整理番号：91A0154632

Biを含むIII/V合金の有機金属気相エピタキシャル成長とその特質

Organometallic vapor-phase epitaxy growth and characterization of Bi-containing III/V alloys.

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巻： 68 号： 9 ページ： 4586-4591 発行年： 1990年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

赤外線検出用のInAsBi,InAsSbBi単結晶膜を作製。...

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半導体薄膜

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