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J-GLOBAL ID：200902048298258522   整理番号：82A0164127

積重ねられたトランジスタをもつ高密度CMOSインバータ

A high density CMOS inverter with stacked transistors.

著者 (2件)： COLINGE J P (Univ. Catholique de Louvain, Belgium) ,  DEMOULIN E (CNET, France)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 2  号： 10  ページ： 250-251  発行年： 1981年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pチャネルトランジスタがレーザによりアニールされた多結晶シリ...

シソーラス用語： MOS構造 ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (2件)： トランジスタ ,  CMOSインバータ