文献

J-GLOBAL ID：200902048443469545   整理番号：87A0530865

GaAs MESFET製造における応力集中とその緩和

Stress intensification in the fabrication of GaAs MESFET and its relaxation.

著者 (4件)： 野上毅 (東芝 総研) ,  福田勝義 (東芝 総研) ,  長岡正見 (東芝 超LSI研) ,  飯田典男 (東芝 半導体事業部)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 87  号： 173  ページ： 75-82(ED87-87)  発行年： 1987年09月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： アニール時,耐熱性ゲートによってゲート電極端部に集中して発生...

シソーラス用語： MESFET ,...
準シソーラス用語： SEM

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=87A0530865&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  MESFET ,  応力集中 ,  緩和