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J-GLOBAL ID：200902048495000049   整理番号：88A0174044

GaAs中の深い準位EL2をめぐって キャパシタンス法による「EL2」の測定と結果の解釈

Interpretation of transient capacitance spectra for EL2.

著者 (1件)： 奥村次徳 (東京都大 工)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 57  号： 1  ページ： 92-96  発行年： 1988年01月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaAsと電極金属の反応によって,EL2の欠陥構造は変化しな...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E)

引用文献 (14件)：

• 1) A. Yahata and M. Nakajima: Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) L 313.
• 2) F. Hasegawa, C. Mogi, M. Onomura and Y. Nannichi: Proc. 4th Conf. Semi-Insulating 1986) p. 409.
• 3) T. Okumura and M. Hoshino: Proc. 4th Conf. Semi-Insulating III-V Materials (オーム社, 1986) p. 409
• 4) A. Yahata, H. Okushi and K. Ishida: Proc. 4th Conf. Semi-Insulating III-V Materials (オーム社, 1986) p. 415.
• 5) T. Okumura and M. Hoshino: Jpn. J. Appl. Phys. 25 (1986) L 548.

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  深い準位 ,  キャパシタンス