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J-GLOBAL ID：200902048820752605   整理番号：90A0052131

SiH₂Cl₂/C₃H₈/H₂/HClガス系による低温からのSi上β-SiCの選択成長

Low-temperature and selective growth of β-SiC using the SiH₂Cl₂/C₃H₈/H₂/HCl gas system.

著者 (2件)： OHSHITA Y (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  ISHITANI A (NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 66  号： 9  ページ： 4535-4537  発行年： 1989年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(100)基板上に標記ガス系からβ-SiCを化学蒸着した...

シソーラス用語： 化学蒸着 ,...
準シソーラス用語： プロパン

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiH2Cl2 ,  H2 ,  HClガス ,  低温 ,  Si ,  SiC ,  選択成長