文献

J-GLOBAL ID：200902049537391490   整理番号：92A0424520

三準位電荷ポンピングの数値シミュレーション

Numerical simulation of 3-level charge pumping.

著者 (2件)： ANCONA M G (Naval Research Lab., Washington, D.C.) ,  SAKS N S (Naval Research Lab., Washington, D.C.)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 71  号： 9  ページ： 4415-4421  発行年： 1992年05月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物-半導体デバイス中の速い界面捕獲中心の電子と正孔...

シソーラス用語： 三準位系 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0424520&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0266A") }}

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電荷ポンピング ,  数値シミュレーション