InGaAsの光電子放出におけるひずみ促進電子スピン分極の観測

MARUYAMA T; GARWIN E L; PREPOST R; ZAPALAC G H; SMITH J S; WALKER J D

文献

J-GLOBAL ID：200902049750427295 整理番号：91A0514702

InGaAsの光電子放出におけるひずみ促進電子スピン分極の観測

Observation of Strain-Enhanced Electron-Spin Polarization in Photoemission from InGaAs.

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資料名：
巻： 66 号： 18 ページ： 2376-2379 発行年： 1991年05月06日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs基板に組成x~0.13のIn_x...

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半導体-半導体接触【’81~’92】 , 光電子放出

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