時間分解X線散乱による層状エピタキシャル成長の研究

FUOSS P H; KISKER D W; LAMELAS F J; STEPHENSON G B; IMPERATORI P; BRENNAN S

文献

J-GLOBAL ID：200902050012910044 整理番号：93A0058698

時間分解X線散乱による層状エピタキシャル成長の研究

Time-Resolved X-Ray Scattering Studies of Layer-by-Layer Epitaxial Growth.

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資料名：
巻： 69 号： 19 ページ： 2791-2794 発行年： 1992年11月09日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

有機金属気相成長法によるGaAsホモエピタキシャル成長を標記...

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半導体薄膜 , X線回折法

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