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文献
J-GLOBAL ID:200902050101832391   整理番号:88A0126495

MOSトランジスタによる固相成長SOI層の電気的特性評価

MOSFET’s fabricated by SPE-SOI technology.
著者 (6件):
資料名:
巻: 56  号: 11  ページ: 1495-1500  発行年: 1987年11月 
JST資料番号: F0252A  ISSN: 0369-8009  CODEN: OYBSA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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横方向固相エピタクシー成長(L-SPE)法により低温でSOI...
シソーラス用語:
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分類 (3件):
分類
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金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  ,  トランジスタ  ,  半導体薄膜 
引用文献 (15件):
  • 1) 田村誠男:応用物理 51 (1982) 152.
  • 2) H. W. Lam, R. F. Pinizzotto and A. F. Tasch: J. Electrochem. Soc. 128 (1981) 1981.
  • 3) T. Hamasaki, T. Inoue, I. Higashinakagawa, T. Yoshii, M. Kashiwagi and H. Tango: Proc. 17th Int. Conf. Solid State Devices and Materials, Tokyo, 1985 (日本学会事務センター, 1985) p. 135.
  • 4) K. Izumi, M. Doken and H. Ariyoshi: Electron. Lett. 14 (1978) 593.
  • 5) H. Ishiwara, H. Yamamoto, S. Furukawa, M. Tamura and T. Tokuyama: Appl. Phys. Lett. 43 (1983) 1028.
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タイトルに関連する用語 (5件):
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