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J-GLOBAL ID：200902050311257179   整理番号：90A0153686

InGaAs-InP量子井戸における歪みによる量子ワイヤおよび量子箱へのキャリアの閉じ込め

Strain-induced confinement of carriers to quantum wires and dots within an InGaAs-InP quantum well.

著者 (9件)： KASH K (Bellcore, New Jersey) ,  BHAT R (Bellcore, New Jersey) ,  MAHONEY D D (Bellcore, New Jersey) ,  LIN P S D (Bellcore, New Jersey) ,  SCHERER A (Bellcore, New Jersey) ,  WORLOCK J M (Bellcore, New Jersey) ,  VAN DER GAAG B P (Bellcore, New Jersey) ,  KOZA M (Bellcore, New Jersey) ,  GRABBE P (Bellcore, New Jersey)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 55  号： 7  ページ： 681-683  発行年： 1989年08月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子井戸構造上に歪みを発生させる層を形成してから,その層にパ...

シソーラス用語： ヒ化ガリウムインジウム ,...
準シソーラス用語： 量子ワイヤ ,...

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分類 (1件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (8件)： InGaAs ,  InP ,  量子井戸 ,  歪み ,  量子ワイヤ ,  量子箱 ,  キャリア ,  閉じ込め