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J-GLOBAL ID：200902050542191367   整理番号：86A0278818

ポリSi TFT製作におけるXeClエキシマレーザによる焼なましの利用

XeCl excimer laser annealing used in the fabrication of poly-Si TFT’s.

著者 (3件)： SAMESHIMA T (Sony Corp., Yokohama) ,  USUI S (Sony Corp., Yokohama) ,  SEKIYA M (Sony Corp., Tokyo)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 7  号： 5  ページ： 276-278  発行年： 1986年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Moゲートnチャネル・ポリSi TFTを260°Cという低い...

シソーラス用語： 気体レーザ ,...

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分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  レーザの応用  (BD04100V) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ポリSi ,  TFT ,  製作 ,  エキシマレーザ ,  焼なまし