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J-GLOBAL ID：200902050789465052   整理番号：83A0418708

反射高速電子回折観測によるGaAs分子線エピタクシー薄膜成長の動力学

Dynamics of film growth of GaAs by MBE from RHEED observations.

著者 (4件)： NEAVE J H (Philips, UK) ,  JOYCE B A (Philips, UK) ,  DOBSON P J (Imperial Coll. Science and Technology, London) ,  NORTON N (Imperial Coll. Science and Technology, London)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 31  号： 1  ページ： 1-8  発行年： 1983年05月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs,Ga_xAl<sub>1-x<...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 分子線エピタクシー

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分類 (2件)： 電子回折法  (BK01030T) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反射高速電子回折 ,  観測 ,  GaAs ,  分子線エピタクシー ,  薄膜成長 ,  動力学