50nm自己整合ゲート疑似形態AlInAs/GaInAs高電子移動度トランジスタ

NGUYEN L D; BROWN A S; THOMPSON M A; JELLOIAN L M

文献

J-GLOBAL ID：200902051128357608 整理番号：92A0718715

50nm自己整合ゲート疑似形態AlInAs/GaInAs高電子移動度トランジスタ

50-nm Self-Aligned-Gate Pseudomorphic AlInAs/GaInAs High Electron Mobility Transistors.

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巻： 39 号： 9 ページ： 2007-2014 発行年： 1992年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

超高周波応用と超低雑音応用への可能性のある新しい50nm自己...

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トランジスタ

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