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J-GLOBAL ID：200902051496810410   整理番号：91A0572376

Si₂H₆をドーパントとして用いたn型InPのガスソースMBE成長

Gas-surce MBE growth of n-type InP using Si₂H₆ as a gaseous dopant source.

著者 (4件)： 安藤秀泰 (富士通研 厚木研) ,  岡本直哉 (富士通研 厚木研) ,  SANDHU A (富士通研 厚木研) ,  藤井俊夫 (富士通研 厚木研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 38th  号： Pt 1  ページ： 300  発行年： 1991年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si2H6 ,  ドーパント ,  InP ,  ガスソースMBE ,  成長