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J-GLOBAL ID:200902051858302906   整理番号:89A0095987

絶縁体上シリコンを作るためのシリコンウエハのボンディング

Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulator.
著者 (4件):
資料名:
巻: 64  号: 10 Pt.1  ページ: 4943-4950  発行年: 1988年11月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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表面を酸化した二枚のシリコンウエハをボンドして絶縁体上シリコ...
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分類 (2件):
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金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  ,  固体デバイス製造技術一般 
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