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J-GLOBAL ID：200902052122675906   整理番号：91A0526512

ドープされた導電性高分子における金属-絶縁体転移 結合交替が残存した状態での電子ギャップの消失

Metal-insulator transition in doped conducting polymers: Disappearance of electronic gap with persisting bond alternation.

著者 (2件)： HARIGAYA K (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TERAI A (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 78  号： 5  ページ： 335-338  発行年： 1991年05月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ランダムに分布した不純物を有するSSHモデルを用いてトランス...

シソーラス用語： ポリアセチレン ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体転移  (BM02110T) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  導電性高分子 ,  金属-絶縁体転移 ,  交替 ,  残存 ,  電子 ,  ギャップ