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J-GLOBAL ID：200902052627543494   整理番号：89A0123006

Si基板上へのシングルドメインGaAs膜の成長機構 二段階成長法におけるSi基板上へのシングルドメインGaAs膜の成長機構

Growth mechanism of single domain GaAs layers on Si substrates.

著者 (1件)： 秋山正博 (沖電気工業 半導体技研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 57  号： 11  ページ： 1742-1747  発行年： 1988年11月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MOCVDを用いた二段階成長法によるSi基板上へのGaAsの...

シソーラス用語： MOCVD ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (10件)：

• 1) M. Akiyama, Y. Kawarada and K. Kaminishi: Jpn. J. Appl. Phys. 23 (1984) L 843.
• 2) T. Soga, S. Hattori, S. Sakai, M. Takeyasu and M. Umeno: Electron. Lett. 20 (1984) 916.
• 3) M. Kawabe and T. Ueda: Jpn. J. Appl. Phys. 26 (1987) L 944.
• 4) T. Ueda, S. Nishi, Y. Kawarada, M. Akiyama and K. Kaminishi: Jpn. J. Appi. Phys. 25 (1986) L 789.
• 5) 小野沢幸子,上田 孝,秋山正博:第48回応用物理学会学術講演会予稿集 (1987) p. 231.

タイトルに関連する用語 (5件)： Si基板 ,  ドメイン ,  GaAs ,  成長 ,  段階