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J-GLOBAL ID：200902053619402187   整理番号：90A0441145

特集 SOR発光技術 全層SOR露光による超微細MOSIC

Deep submicrometer MOSIC’s fabricated using SOR lithography for all levels.
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著者 (3件)：
三宅雅保

三宅雅保 について

(NTT LSI研究所)

NTT LSI研究所 について

, 
岡崎幸夫

岡崎幸夫 について

(NTT LSI研究所)

NTT LSI研究所 について

, 
小林敏夫

小林敏夫 について

(NTT LSI研究所)

NTT LSI研究所 について


資料名：
NTT R & D  (NTT R & D)

NTT R & D について


巻： 39  号： 4  ページ： 609-618  発行年： 1990年04月 
JST資料番号： F0137A  ISSN： 0915-2326  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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全層にSOR露光を用いて,ゲート長が0.2μm領域のMOSF...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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シンクロトロン放射

シンクロトロン放射 について

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SOR

SOR について


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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

,  トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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層

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, 
露光

露光 について

, 
超微細

超微細 について


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