GaAsナノ構造における一電子帯電と周期的コンダクタンス共鳴

MEIRAV U; KASTNER M A; WIND S J

文献

J-GLOBAL ID：200902053642675930 整理番号：90A0774011

GaAsナノ構造における一電子帯電と周期的コンダクタンス共鳴

Single-electron charging and periodic conductance resonances in GaAs nanostructures.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=90A0774011&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0774011&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0070A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 65 号： 6 ページ： 771-774 発行年： 1990年08月06日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs中に二つのポテンシャル障壁で制御し,電子密度を可変に...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=90A0774011&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0070A") }}

半導体-半導体接触【’81~’92】

, , , , ,

前のページに戻る