適度にドープされたSiにおける電子と正孔のキャリア・ダイナミックス

VAN EXTER M; GRISCHKOWSKY D

文献

J-GLOBAL ID：200902053723597437 整理番号：90A0684071

適度にドープされたSiにおける電子と正孔のキャリア・ダイナミックス

Carrier dynamics of electrons and holes in moderately doped silicon.

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巻： 41 号： 17 ページ： 12140-12149 発行年： 1990年06月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

0.1,1,及び10Ωcmの抵抗率をもつn及びp型Siの0...

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半導体結晶の電気伝導

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