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J-GLOBAL ID：200902053903683978   整理番号：86A0402660

元素の同時蒸着により形成したCuInSe₂膜の構造

The structure of CuInSe₂ films formed by co-evaporation of the elements.

著者 (3件)： DON E R (Newcastle Polytechnic, Gt. Britain) ,  HILL R (Newcastle Polytechnic, Gt. Britain) ,  RUSSELL G J (Univ. Durham, Gt. Britain)
資料名： Solar Cells  (Solar Cells)
巻： 16  号： 1/4  ページ： 131-142  発行年： 1986年01月 
JST資料番号： A0747B  ISSN： 0379-6787  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス,GaAsおよびCdS単結晶基板を用いて広い組成範囲に...

シソーラス用語： 真空蒸着 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 元素 ,  同時蒸着