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J-GLOBAL ID：200902053997455779   整理番号：89A0084028

超薄SiO₂膜の高電界による劣化

High-field-induced degradation in ultra-thin SiO₂ films.

著者 (3件)： OLIVO P (IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA) ,  NGUYEN T N (IBM Thomas J. Watson Research Center, NY, USA) ,  RICC<span style=text-decoration:overline>O ́</span> B (Univ. Bologna, Bologna, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 35  号： 12  ページ： 2259-2267  発行年： 1988年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大電流に関係した破壊損傷が,超薄酸化膜の不良メカニズムによる...

シソーラス用語： 超LSI ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (2件)： SiO2 ,  高電界