単一ウエハ集積化半導体デバイスプロセス

MOSLEHI M M; CHAPMAN R A; WONG M; PARANJPE A; NAJM H N; KUEHNE J; YEAKLEY R L; DAVIS C J

文献

J-GLOBAL ID：200902054093692599 整理番号：92A0142771

単一ウエハ集積化半導体デバイスプロセス

Single-Wafer Integrated Semiconductor Device Processing.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=92A0142771&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0142771&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

著者 (8件)： , , , , , , ,
資料名：
巻： 39 号： 1 ページ： 4-32 発行年： 1992年01月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

超小型電子デバイスの集積化プロセスのための種々の単一ウエハ製...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0142771&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0222A") }}

固体デバイス製造技術一般

, , ,

前のページに戻る