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J-GLOBAL ID:200902054555752223   整理番号:85A0392226

CVDおよびスパッタリング法による酸化タンタル薄膜の性質

Properties of tantalum oxide films deposited on silicon by CVD and sputtering.
著者 (3件):
資料名:
巻: 53  号:ページ: 109-113  発行年: 1985年02月 
JST資料番号: G0072A  ISSN: 1344-3542  CODEN: EECTFA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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Si基板上に,有機金属化合物を用いるCVD法およびRFスパッ...
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  酸化物薄膜 
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