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J-GLOBAL ID：200902054555752223   整理番号：85A0392226

CVDおよびスパッタリング法による酸化タンタル薄膜の性質

Properties of tantalum oxide films deposited on silicon by CVD and sputtering.

著者 (3件)： 岡田勝 (中部大工) ,  深谷博幸 (中部大工) ,  井戸敏之 (中部大工)
資料名： 電気化学および工業物理化学  (Electrochemistry)
巻： 53  号： 2  ページ： 109-113  発行年： 1985年02月 
JST資料番号： G0072A  ISSN： 1344-3542  CODEN： EECTFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Si基板上に,有機金属化合物を用いるCVD法およびRFスパッ...

シソーラス用語： 酸化タンタル ,...

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： CVD ,  スパッタリング法 ,  酸化タンタル ,  薄膜 ,  性質