文献

J-GLOBAL ID：200902054597664995   整理番号：91A0448994

p型Siアノード酸化皮膜のCl^-イオンによる破壊とエレクトロルミネッセンス測定

Break down of anodic oxide films on p-type Si due to Cl^- ions and electroluminescence measurement.

著者 (3件)： 伏見公志 (北大 工) ,  高橋英明 (北大 工) ,  瀬尾真浩 (北大 工)
資料名： 電気化学協会大会講演要旨集
巻： 58th  ページ： 84  発行年： 1991年03月 
JST資料番号： Y0048A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (5件)： P型Si ,  アノード酸化皮膜 ,  イオン ,  破壊 ,  エレクトロルミネッセンス