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J-GLOBAL ID：200902054699454081   整理番号：92A0573266

高移動度Siの金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける量子化Hallプラトーの異状な挙動

Anomalous behavior of a quantized Hall plateau in a high-mobility Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistor.

著者 (4件)： YOSHIHIRO K (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  VAN DEGRIFT C T (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  CAGE M E (National Inst. Standards and Technology, Maryland) ,  YU D (National Inst. Standards and Technology, Maryland)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 45  号： 24  ページ： 14204-14214  発行年： 1992年06月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 14Tと340mKのSi-MOSFETのi=4のプラトーの量...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高移動度 ,  Si ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  量子化 ,  異状 ,  挙動