不純物濃度の高い微粒子をホットプレスして作ったSiとGeの合金において,フォノン-粒界散乱が格子熱伝導度と熱起電力変換係数に及ぼす影響

ROWE D M; SHUKLA V S

文献

J-GLOBAL ID：200902054708885449 整理番号：82A0261712

不純物濃度の高い微粒子をホットプレスして作ったSiとGeの合金において,フォノン-粒界散乱が格子熱伝導度と熱起電力変換係数に及ぼす影響

The effect of phonon-grain boundary scattering on the lattice thermal conductivity and thermoelectric conversion efficiency of heavily doped finegrained, hot-pressed silicon germanium alloy.

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巻： 52 号： 12 ページ： 7421-7426 発行年： 1981年12月
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

作ったn型Si<sub>63.5</sub>Ge<sub>3...

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半導体結晶の電気伝導

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