セシウムによって修飾されたSi(111)7×7表面上のSiO<sub>2</sub>-Si界面の熱成長

STARNBERG H I; SOUKIASSIAN P; BAKSHI M H; HURYCH Z

文献

J-GLOBAL ID：200902055053795456 整理番号：88A0303914

セシウムによって修飾されたSi(111)7×7表面上のSiO₂-Si界面の熱成長

Thermal growth of SiO₂-Si interfaces on a Si(111)7×7 surface modified by cesium.

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巻： 37 号： 3 ページ： 1315-1319 発行年： 1988年01月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

光電子分光法を用いて,Si(111)7×7表面上のSiO<s...

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半導体の表面構造 , 電子分光スペクトル

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セシウムによって修飾されたSi(111)7×7表面上のSiO2-Si界面の熱成長

セシウムによって修飾されたSi(111)7×7表面上のSiO₂-Si界面の熱成長