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J-GLOBAL ID：200902055609912422   整理番号：90A0415121

6H-SiC基板上への膜質を改善した3C-SiC膜の成長

Growth of improved quality 3C-SiC films on 6H-SiC substrates.

著者 (9件)： POWELL J A (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  LARKIN D J (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  MATUS L G (NASA Lewis Research Center, Ohio) ,  CHOYKE W J (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  BRADSHAW J L (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  HENDERSON L (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  YOGANATHAN M (Univ. Pittsburgh, Pennsylvania) ,  YANG J (Case Western Reserve Univ., Ohio) ,  PIROUZ P (Case Western Reserve Univ., Ohio)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 56  号： 14  ページ： 1353-1355  発行年： 1990年04月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiC結晶の成長したままの面に成長3C-SiCを成長さ...

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 6H-SiC ,  膜質 ,  3C-SiC ,  成長