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J-GLOBAL ID:200902055609912422   整理番号:90A0415121

6H-SiC基板上への膜質を改善した3C-SiC膜の成長

Growth of improved quality 3C-SiC films on 6H-SiC substrates.
著者 (9件):
資料名:
巻: 56  号: 14  ページ: 1353-1355  発行年: 1990年04月02日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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