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J-GLOBAL ID：200902055714164164   整理番号：87A0212546

プラズマ増強蒸着したシリコン-(オキシ)窒化物層の特性化 UV及びIR透過

Characterization of plasma-enhanced deposited silicon-(oxy)nitride layers : UV and IR transmission.
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著者 (2件)：
CLAASSEN W A P

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(Philips, NLD)

Philips, NLD について

, 
KUIPER A E T

KUIPER A E T について

(Philips, NLD)

Philips, NLD について


資料名：
Semiconductor Silicon 1986  (Semiconductor Silicon 1986)

Semiconductor Silicon 1986 について


ページ： 274-283  発行年： 1986年 
JST資料番号： K19870076  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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溶融シリカまたはSi〈100〉基板上に種々の組成を持つプラズ...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ケイ素

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分類 (2件)：
分類
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その他の無機化合物の薄膜 
(BK14060A)

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(NC03030V)

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シリコン

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特性化

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Ir

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透過

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