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J-GLOBAL ID：200902056334237335   整理番号：86A0094925

半導体/電解質界面における高密度電子蓄積層

Highly accumulated electron layer at a semiconductor/electrolyte interface.
著者 (2件)：
TARDELLA A

TARDELLA A について

(Ecole Polytechnique Palaiseau, France)

Ecole Polytechnique Palaiseau, France について

, 
CHAZALVIEL J-N

CHAZALVIEL J-N について

(Ecole Polytechnique Palaiseau, France)

Ecole Polytechnique Palaiseau, France について


資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 32  号： 4  ページ： 2439-2448  発行年： 1985年08月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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シリコン/アセトニトリル界面に形成される電子層の,実験的及び...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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MOS構造

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半導体電解質接合

半導体電解質接合 について

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分類 (1件)：
分類
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金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】 
(BM03074V)

金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
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電解質

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界面

界面 について

, 
電子

電子 について

, 
蓄積層

蓄積層 について


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