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J-GLOBAL ID：200902057603161789   整理番号：90A0891143

LSI Al配線のストレスマイグレーション

Stress-induced voiding in aluminum metallization in LSIs.

著者 (1件)： 岡林秀和 (日本電気 マイクロエレクトロニクス研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 59  号： 11  ページ： 1461-1473  発行年： 1990年11月 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： LSIのAl配線におけるストレスマイグレーション(SM)と呼...

シソーラス用語： 空孔欠陥 ,...
準シソーラス用語： ストレスマイグレーション

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分類 (3件)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E) ,  集積回路一般  (NC03161C) ,  金属中の拡散  (BL06022C)

引用文献 (43件)：

• 1) J. Kiema, R. Pyle and E. Domangue: Proc. Int. Reliability Physics Symp., Las Vegas, 1984 (IEEE, New York, 1984) p. 1.
• 2) J. Curry, G. Fitzgibbon, Y. Guan, R. Muollo, G. Nelson and A. Thomas: Proc. Int. Reliability Physics Symp., Las Vegas, 1984 (IEEE, New York, 1984) p. 6.
• 3) H. Okabayashi and K. Nikawa: ULSI Sci. ence and Technology 1989, ed. C. M. Osburn and J. M. Andrews (The Electrochem. Soc., Pennington, 1989) p. 515.
• 4) S. Mayumi, T. Umemoto, M. Shishino, H. Nanatsue, S. Ueda and M. Inoue: Proc. Int. Reliability Physics Symp., San Diego, 1987 (IEEE, New York, 1987) p. 15.
• 5) A. Tanikawa, H. Okabayashi, H. Mori and H. Fujita: Proc. Int. Reliability Physics Symp., New Orleans, 1990 (IEEE, New York, 1990) p. 29.

タイトルに関連する用語 (3件)： LSI ,  Al ,  ストレスマイグレーション