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J-GLOBAL ID：200902057617894690   整理番号：91A0688038

半導体メモリ33ns 64Mb DRAM

A 33ns 64Mb DRAM.

著者 (9件)： OOWAKI Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TSUCHIDA K (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  WATANABE Y (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  TAKASHIMA D (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  OHTA M (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NAKANO H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  WATANABE S (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  NITAYAMA A (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  HARA H (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 34  ページ： 114-115,299  発行年： 1991年02月 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： チップサイズの削減と高信頼度化に,pMOSを中心に配置したツ...

シソーラス用語： DRAM ,...

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分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 半導体メモリ ,  DRAM