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J-GLOBAL ID：200902057659871649   整理番号：88A0258279

二次元電子ガスにおける点接触の量子化コンダクタンス

Quantized conductance of point contacts in a two-dimensional electron gas.

著者 (7件)： WEES B J (Delft Univ. Technology, Delft, NLD) ,  VAN HOUTEN H (Philips Research Lab., Eindhoven, NLD) ,  BEENAKKER C W J (Philips Research Lab., Eindhoven, NLD) ,  WILLIAMSON J G (Philips Research Lab., Eindhoven, NLD) ,  KOUWENHOVEN L P (Delft Univ. Technology, Delft, NLD) ,  VAN DER MAREL D (Delft Univ. Technology, Delft, NLD) ,  FOXON C T (Philips Research Lab., Surrey, GBR)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 60  号： 9  ページ： 848-850  発行年： 1988年02月29日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs-GaAlAsヘテロ構造の二次元電子ガスで規定したバ...

シソーラス用語： 低次元系 ,...
準シソーラス用語： バリスチック輸送

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分類 (1件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 二次元電子ガス ,  点接触 ,  量子化コンダクタンス