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J-GLOBAL ID：200902058097762848   整理番号：93A0380444

LOCOSとトレンチ分離MOSFETからのホットキャリア光電子放出の2次元解析

A Two-Dimensional Analysis of Hot-Carrier Photoemission from LOCOS- and Trench-Isolated MOSFETs.

著者 (4件)： OHZONE T (Toyama Pref. Univ., Toyama, JPN) ,  IWATA H (Toyama Pref. Univ., Toyama, JPN) ,  URAOKA Y (Matsushita Elec. Ind. Co., Ltd., Osaka, JPN) ,  ODANAKA S (Matsushita Elec. Ind. Co., Ltd., Osaka, JPN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1992  ページ： 527-530  発行年： 1992年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LOCOSとトレンチ分離した縮小化n井戸CMOSデバイスで,...

シソーラス用語： LOCOS ,...

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分類 (2件)： 光電子放出  (BM09030D) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： LOCOS ,  トレンチ ,  MOSFET ,  ホットキャリア ,  光電子放出 ,  2次元 ,  解析