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J-GLOBAL ID：200902058101312356   整理番号：89A0304012

nチャネル・ハイブリッドSchottky注入FETの過渡特性

Transient characteristics of n-channel hybrid Schottky injection FET’s.

著者 (3件)： SIN J K O (Univ. Toronto, Ontario, CAN) ,  SALAMA C A T (Univ. Toronto, Ontario, CAN) ,  HOU L-Z (Univ. Toronto, Ontario, CAN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 36  号： 5  ページ： 993-1000  発行年： 1989年05月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッドSchottky注入電界効果型トランジスタ(HS...

シソーラス用語： Schottky障壁 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： Nチャネル ,  注入 ,  FET ,  過渡特性