シリコンの“陰極”プラズマ酸化における種電荷と酸化機構

ELJABALY K; REISMAN A

文献

J-GLOBAL ID：200902058458925135 整理番号：91A0443345

シリコンの“陰極”プラズマ酸化における種電荷と酸化機構

Species charge and oxidation mechanism in the “cathodic” plasma oxidation of silicon.

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巻： 138 号： 4 ページ： 1071-1076 発行年： 1991年04月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

プラズマと反対側のSi表面で酸化が起る既報系での,Siプラズ...

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酸化物薄膜 , 固体デバイス製造技術一般

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