プラズマ増大化学蒸着  直接プラズマ励起と遠隔プラズマ励起の差

LUCOVSKY G; TSU D V

文献

J-GLOBAL ID：200902058591592548 整理番号：87A0542677

プラズマ増大化学蒸着直接プラズマ励起と遠隔プラズマ励起の差

Plasma enhanced chemical vapor deposition: Differences between direct and remote plasma excitation.

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資料名：
巻： 5 号： 4 Pt 4 ページ： 2231-2238 発行年： 1987年07月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Siの酸化物,窒化物,窒化酸化物のフィルムは直接プラズマ励起...

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電離現象 , 半導体薄膜

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プラズマ増大化学蒸着 直接プラズマ励起と遠隔プラズマ励起の差

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