各種の炭化けい素ポリタイプの大型単結晶を育成するための一般的原理

文献

J-GLOBAL ID：200902059454043487 整理番号：81A0245740

General principles of growing large-size single crystals of various silicon carbide polytypes.

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巻： 52 号： 1 ページ： 146-150 発行年： 1981年04月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

著者らが長年研究してきたSiCの大型結晶の育成法についてまと...

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半導体の結晶成長

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