シリコン中のほう素付近への水素の局在化

PANKOVE J I; ZANZUCCHI P J; MAGEE C W; LUCOVSKY G

文献

J-GLOBAL ID：200902059585547405 整理番号：85A0473476

シリコン中のほう素付近への水素の局在化

Hydrogen localization near boron in silicon.

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資料名：
巻： 46 号： 4 ページ： 421-423 発行年： 1985年02月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

結晶シリコン中の原子水素によるほう素の中性化に関する数個の模...

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半導体の格子欠陥

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