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J-GLOBAL ID：200902059590239778   整理番号：90A0414531

ポリマーダイオードとトランジスタにおける新しい半導体デバイス物理

New semiconductor device physics in polymer diodes and transistors.

著者 (3件)： BURROGHES J H (Cavendish Lab., Cambridge, GBR) ,  JONES C A (Cavendish Lab., Cambridge, GBR) ,  FRIEND R H (Cavendish Lab., Cambridge, GBR)
資料名： Nature (London)  (Nature (London))
巻： 335  号： 6186  ページ： 137-141  発行年： 1988年09月08日 
JST資料番号： D0193B  ISSN： 0028-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリアセチレンから作られる半導体デバイスは新しい方法で動作す...

シソーラス用語： ポリアセチレン ,...
準シソーラス用語： 光変調器

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分類 (3件)： 金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

タイトルに関連する用語 (3件)： トランジスタ ,  半導体デバイス ,  物理