ゲート絶縁層にMBE成長CaF<sub>2</sub>を使ったGaAs MISFET

WAHO T; YANAGAWA F

文献

J-GLOBAL ID：200902060637964865 整理番号：88A0606148

ゲート絶縁層にMBE成長CaF₂を使ったGaAs MISFET

A GaAs MISFET using an MBE-grown CaF₂ gate insulator layer.

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資料名：
巻： 9 号： 10 ページ： 548-549 発行年： 1988年10月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

半絶縁性GaAs(100)基板にMBEで成長させた単結晶Ca...

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ゲート絶縁層にMBE成長CaF2を使ったGaAs MISFET

ゲート絶縁層にMBE成長CaF₂を使ったGaAs MISFET