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J-GLOBAL ID：200902060961419578   整理番号：86A0406558

GaAs,GeおよびGe/Si基板を用いたMOCVD法によるAlGaAs/GaAs太陽電池

MOCVD AlGaAs/GaAs solar cells on GaAs, Ge and Ge/Si substrate.

著者 (8件)： KATO M (Mitsubishi Electric Corp., Itami) ,  MITSUI K (Mitsubishi Electric Corp., Itami) ,  MIZUGUCHI K (Mitsubishi Electric Corp., Itami) ,  HAYAFUJI N (Mitsubishi Electric Corp., Itami) ,  OCHI S (Mitsubishi Electric Corp., Itami) ,  YUKIMOTO Y (Mitsubishi Electric Corp., Itami) ,  MUROTANI T (Mitsubishi Electric Corp., Itami) ,  FUJIKAWA K (Mitsubishi Electric Corp., Itami)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 18th  ページ： 14-19  発行年： 1985年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄いGeエピタキシャル層をMBE技術によってSi基板上に生成...

シソーラス用語： 太陽電池 ,...
準シソーラス用語： 変換効率 ,...

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分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  Ge ,  Si基板 ,  MOCVD ,  AlGaAs ,  太陽電池