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J-GLOBAL ID：200902060998561188   整理番号：90A0313542

バイアスオフセット技術を用いた電圧制御可能線形MOSトランスコンダクタ

A voltage-controllable linear MOS transconductor using bias offset technique.

著者 (2件)： WANG Z (Swiss Federal Inst. Technology Zurich, CHE) ,  GUGGENBUEHL W (Swiss Federal Inst. Technology Zurich, CHE)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 25  号： 1  ページ： 315-317  発行年： 1990年02月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電圧により線形に調節可能な利得を持つ線形大信号MOSトランス...

シソーラス用語： 電圧制御 ,...

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分類 (1件)： その他の電子回路  (NC05090X)

タイトルに関連する用語 (6件)： バイアス ,  オフセット ,  電圧制御 ,  線形 ,  MOS ,  トランスコンダクタ