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J-GLOBAL ID：200902062560462252   整理番号：86A0536728

ゲルマニウム(001)基板上の整合的にひずんだSixGe1-xバルク合金の間接バンドギャップとバンド整列

Indirect band gap and band alignment for coherently strained SixGe1-x bulk alloys on germanium (001) substrates.
著者 (1件)：
PEOPLE R

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(AT&T, New Jersey)

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資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 34  号： 4  ページ： 2508-2510  発行年： 1986年08月15日 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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シソーラス用語：
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ヘテロ接合

ヘテロ接合 について

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伝導帯

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分類 (1件)：
分類
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半導体-半導体接触【’81~’92】 
(BM03072N)

半導体-半導体接触【’81~’92】 について

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ゲルマニウム

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整合

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, 
バルク

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間接バンドギャップ

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バンド整列

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