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J-GLOBAL ID：200902063212708333   整理番号：86A0460450

反応性イオンエッチングおよびスパッタエッチングによるGaAsの表面損傷

Surface damage on GaAs induced by reactive ion etching and sputter etching.

著者 (1件)： PANG S W (Massachusetts Inst. Technology)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 133  号： 4  ページ： 784-787  発行年： 1986年04月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々のガスを用いる反応性イオンエッチング(RIE)によるGa...

シソーラス用語： 超小形回路技術 ,...
準シソーラス用語： ポリハロゲン化合物 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 反応性イオンエッチング ,  スパッタエッチング ,  GaAs ,  表面損傷