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J-GLOBAL ID：200902063410323293   整理番号：84A0410595

GaAlAsレーザ,電界効果トランジスタおよびフォトダイオードのモノリシック-オプトエレクトロニク集積回路

Monolithic optoelectronic integration of a GaAlAs laser, a field-effect transistor, and a photodiode.

著者 (4件)： BAR-CHAIM N (Ortel Corp., California) ,  LAU K Y (Ortel Corp., California) ,  URY I (Ortel Corp., California) ,  YARIV A (California Inst. Technology)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 44  号： 10  ページ： 941-943  発行年： 1984年05月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半絶縁性GaAs基板上に低しきい値埋込みヘテロ接合レーザ,M...

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,...
準シソーラス用語： モノリシック集積回路 ,...

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分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAlAsレーザ ,  電界効果トランジスタ ,  フォトダイオード ,  集積回路