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J-GLOBAL ID：200902063528654251   整理番号：87A0409927

InPとGaSbの光ポンピングによるスピン整列とE0+Δ0ギャップ近傍での正孔の緩和

Spin orientation by optical pumping and relaxation of holes near the E0+Δ0 gap of InP and GaSb.
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著者 (3件)：
KAUSCHKE W

KAUSCHKE W について

(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)

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MESTRES N

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(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)

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CARDONA M

CARDONA M について

(Max-Planck-Inst. Festkoerperforschung, Stuttgart, DEU)

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資料名：
18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.2  (18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.2)

18th International Conference on the Physics of Semiconductors, 1986, Vol.2 について


ページ： 1473-1476  発行年： 1986年 
JST資料番号： K19870208  ISBN： 9971-50-197-X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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分裂した価電子帯中の熱化正孔のスピン整列の程度をn型InPと...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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リン化インジウム

リン化インジウム について

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シソーラス用語/準シソーラス用語
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禁止帯

禁止帯 について


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分類 (1件)：
分類
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半導体結晶の電子構造 
(BM02060N)

半導体結晶の電子構造 について

タイトルに関連する用語 (8件)：
タイトルに関連する用語
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InP

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GaSb

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光ポンピング

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スピン整列

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ギャップ

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近傍

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正孔

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, 
緩和

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