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J-GLOBAL ID：200902063944612622   整理番号：90A0655218

3準位電荷ポンピングによる界面トラップ捕獲断面積の求め方

Determination of interface trap capture cross sections using three-level charge pumping.

著者 (2件)： SAKS N S (Naval Research Lab., Washington, D.C.) ,  ANCONA M G (Naval Research Lab., Washington, D.C.)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 11  号： 8  ページ： 339-341  発行年： 1990年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSFETの界面トラップパラメータを測定するための修正3電...

シソーラス用語： MOSFET ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電荷ポンピング ,  界面トラップ ,  捕獲断面積